【导读】涨价预期持续发酵，存储芯片终端消费市场的又涨购买力正面临严峻考验

中国基金报记者 泰勒

关注存储市场动态的读者请注意，内存及闪存芯片价格即将迎来新一轮上涨。存储芯片

三星主导三季度DRAM涨价，又涨幅度或达20%

据韩国媒体ZDNet报道，存储芯片三星电子正积极推动2026年第三季度存储芯片的又涨新一轮涨价计划。目前，存储芯片三星正与客户展开强势谈判，又涨目标是存储芯片将第三季度DRAM平均销售价格（ASP）较上一季度最高上调20%。

行业消息人士指出，又涨由于服务器和移动市场面临严重的存储芯片供应瓶颈，LPDDR（低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器）的又涨价格涨幅甚至可能突破20%，但客户对此的存储芯片接受程度尚存变数。

回顾此前走势，又涨三星DRAM平均销售价格在第一季度环比暴涨超过90%，存储芯片第二季度预计涨幅为50%至60%。此次寻求的20%涨幅，旨在延续其强势定价策略。相比之下，SK海力士因产品组合中高带宽内存（HBM）占比较高，预计其平均销售价格涨幅将相对温和。

行业分析认为，三星DRAM价格涨幅显著快于SK海力士，主要原因在于：
1. 三星在标准型DRAM市场中占据更高份额，而此类产品价格波动性更大；
2. 三星采取了更为激进的定价策略。

供应紧张依旧，但涨价势头将放缓

此次提价背景是DRAM市场供应依然极度紧张。TrendForce（集邦咨询）预测，2026年第三季度供应状况仍将吃紧。然而，受限于消费类应用需求疲软以及前期价格基数已处于高位，合约价格的涨幅预计将放缓至环比13%至18%。

消费者购买力触及天花板

根据TrendForce最新发布的存储价格调查报告，尽管2026年第三季度存储价格将继续上涨，但此前几个季度那种爆发式增长态势将明显减弱。核心原因在于，消费电子买家已接近其价格承受能力的上限。

报告具体预测如下：
* 传统DRAM合约价格：环比上涨13%至18%；
* NAND闪存合约价格：环比上涨10%至15%。

虽然上述涨幅依然可观，但相较于第二季度约60%的惊人涨幅，增速已显著回落。报告强调，这种增速放缓并非源于供应端的改善，而是由于消费电子制造商在经历数月连续涨价后，已无力也无意愿继续消化高昂的存储成本。简言之，芯片依然短缺，但消费者已不愿为不断攀升的价格买单。

AI需求强劲，市场呈现“双轨制”分化

人工智能（AI）仍是驱动存储市场增长的核心引擎。AI推理系统及超大规模数据中心的需求保持强劲，持续限制DRAM和NAND的供应；同时，存储厂商持续将产能向利润率更高的服务器产品倾斜。这导致分配给消费类存储的产能进一步减少，即便PC和智能手机需求走弱，价格也难以回落。

因此，存储市场正日益呈现出企业客户与消费客户两条截然不同的发展轨迹：

1. 服务器端（企业市场）：
* 需求强劲：随着CPU供应改善，基于x86处理器和注册DIMM的AI服务器部署将继续推进，需求预计延续至2027年。
* 价格趋稳：尽管第三季度服务器DRAM预计仍供不应求，但由于部分采购已被长期供应协议锁定，价格涨幅有望放缓。

2. 消费市场：
* PC领域：笔记本电脑制造商虽将继续补库存，但高昂的存储成本正逐步传导至零售终端。TrendForce警告，这可能会拖累今年剩余时间的PC出货量。
* 手机领域：智能手机厂商面临类似压力，预计将通过提高手机售价来抵消持续高企的LPDDR成本。同时，面对转弱的消费需求，厂商在生产计划上将变得更加谨慎。

编辑：嘉颖
审校：许闻